IBM公司与Molecular Imprints Inc.(MII)正合作开发介电材料，以推动面向主流芯片制造的纳米压印光刻(nano-imprint lithography)技术的开发。这是MII联合创始人兼美国德州大学化学工程系教授Grant Wilson日前在SPIE微光刻研讨会上透露的。

    Wilson表示，IBM和MII正合作开发一种旋涂玻璃(spin-on glass)，也称“photo-imagable”介电质，这种材料用于纳米压印光刻的后端线(back-of-line，BEOL)加工。这表明纳米压印光刻又有了新的应用空间。目前该技术主要用于MEMS制造、存储媒体和相关应用。

    MII在SPIE上发表了一篇论文，题为《面向双大马士革(dual damascene)加工的直接介电材料压印技术》。在论文中，MII声称，与传统光刻技术相比，纳米压印光刻能减少双大马士革芯片制造1/3的工序。

    “通过采用带两层图形的印刷模板，一个压印光刻工序就替代了两个光刻工序。”MII论文称。“如果印刷光阻材料采用功能介电材料，效率还有可能进一步提高。”